DRAM內存或引入EUV極紫外光刻可將工藝制程推進10nm以下

2021-03-25 10:24:31來源：快科技

儲大廠SK海力士的CEO李錫熙(Seok-Hee Lee)近日在IEEE國際可靠性物理研討會上發表主題演講，分享了在閃存、內存未來發展方面的一些規劃和展望。

3D NAND閃存方面，如今行業的發展重點不是更先進的工藝，也不是QLC、PLC，而是堆疊層數的不斷增加，SK海力士就已經做到了176層。

SK海力士此前認為，3D閃存的堆疊層數極限是500層，不過現在更加樂觀，認為在不遠的將來就能做到600層。

當然，為了做到這一點，需要在技術方面進行諸多創新和突破，比如SK海力士提出了原子層沉積(ALD)技術，進一步強化閃存單元屬性，可以更高效地存儲、釋放電荷，并且在堆疊層數大大增加后依然保持電荷一致性。

為了解決薄膜應力(film stress)問題，SK海力士引入了新的氮氧化物材料。

為了解決堆疊層數增加后存儲單元之間的干擾、電荷丟失問題，SK海力士開發了獨立的電荷阱氮化物(CTN)結構，以增強可靠性。

另外針對DRAM內存發展，SK海力士在考慮引入EUV極紫外光刻，可將工藝制程推進到10nm以下。

責任編輯：hnmd003

DRAM內存或引入EUV極紫外光刻 可將工藝制程推進10nm以下