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SK 海力士開發出 12 層堆疊 HBM3 DRAM 芯片,已向客戶提供樣品_天天新動態

2023-04-20 09:14:57來源:ZAKER科技  


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品玩 4 月 20 日訊,SK 海力士官網宣布,再次超越了現有最高性能 DRAM(內存)—— HBM31 的技術界限,全球首次實現垂直堆疊 12 個單品 DRAM 芯片,成功開發出最高容量 24GB 的 HBM3 DRAM 新產品,并正在接受客戶公司的性能驗證。

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責任編輯:hnmd003

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