三星宣布 12nm 級(jí)別 DDR5 DRAM 開始大規(guī)模生產(chǎn)：功耗降低 23%，生產(chǎn)效率提高 20% 世界今日訊

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三星宣布，其采用業(yè)界最先進(jìn) 12nm 級(jí)別工藝技術(shù)的 16Gb DDR5 DRAM 已經(jīng)開始批量生產(chǎn)。三星表示，通過完成最先進(jìn)的制造技術(shù)，再次證明了其在尖端 DRAM 技術(shù)方面的領(lǐng)先地位。

三星電子 DRAM 產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁 Jooyoung Lee 表示：" 利用差異化的工藝技術(shù)，三星行業(yè)領(lǐng)先的 12nm 級(jí)別 DDR5 DRAM 具有出色的性能和電源效率。最新的 DRAM 反映了我們對(duì)引領(lǐng) DRAM 市場(chǎng)的持續(xù)承諾，不僅提供高性能和高容量的產(chǎn)品，滿足了計(jì)算市場(chǎng)對(duì)大規(guī)模數(shù)據(jù)處理的需求，而且還通過對(duì)下一代解決方案的商業(yè)化，支持更大的產(chǎn)量。"

與上一代產(chǎn)品相比，三星新的 12nm 級(jí)別 DDR5 DRAM 的速率達(dá)到了 7.2 Gbps，功耗降低了 23%，同時(shí)將晶圓的生產(chǎn)效率提高了 20%，出色的電源效率使其成為那些希望減少服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心的能耗及碳足跡的全球 IT 公司的理想解決方案，支持包括數(shù)據(jù)中心、人工智能和下一代計(jì)算在內(nèi)越來越多的應(yīng)用。

三星在 12nm 級(jí)別工藝技術(shù)上使用了一種新的 high- κ 材料，有助于提高電池電容。高電容導(dǎo)致數(shù)據(jù)信號(hào)出現(xiàn)明顯的電勢(shì)差，更便于準(zhǔn)確區(qū)分。同時(shí)在降低工作電壓和減少噪音方面的努力，也有助于三星提供客戶需要的解決方案。