三星量產(chǎn) 12nm DDR5 內(nèi)存：功耗驟降 23％、量產(chǎn)率提高 20%-天天視點

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三星電子官方宣布，他們已經(jīng)開始量產(chǎn)采用 12nm 級工藝的 DDR5 DRAM 內(nèi)存芯片。這種新內(nèi)存具有每顆 16Gb ( 2GB ) 的容量，最高速度可達(dá) 7.2Gbps ( 等效頻率 7200MHz ) ，相當(dāng)于每秒能處理兩部 30GB 的超高清電影。

相較于上一代產(chǎn)品，12nm DDR5 內(nèi)存的功耗降低了 23％，同時晶圓生產(chǎn)率提高了 20％，對于服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心來說，這對于節(jié)能減排非常有益。

三星透露，12nm 級工藝的開發(fā)基于一種新型的高 K 材料，該材料可以提高電池電容，使得數(shù)據(jù)信號的電位差更加明顯，進(jìn)而更容易準(zhǔn)確區(qū)分。

此外，三星還在降低工作電壓和噪聲方面取得了新的突破。值得一提的是，去年 12 月，三星已完成了 16Gb DDR5 DRAM 與 AMD 處理器平臺的兼容性評估。

小編點評：三星宣布已開始大規(guī)模量產(chǎn) 12 納米工藝的 DDR5 DRAM，這將進(jìn)一步鞏固其在存儲芯片領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。新內(nèi)存的功耗降低 23％，晶圓生產(chǎn)率提高 20％，且具備出色的處理速度和節(jié)能性能，有望滿足數(shù)據(jù)中心、AI 和新興計算應(yīng)用的需求。